我要投搞

标签云

收藏小站

爱尚经典语录、名言、句子、散文、日志、唯美图片

当前位置:双彩网 > 只读存储器 >

关于存储器的基础知识整理

归档日期:06-01       文本归类:只读存储器      文章编辑:爱尚语录

  Random-Access-Memory,随机存储存储器,可读可写,分为SRAM和,即静态随机存储器和动态随机存储器,理解上静动态主要体现是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否则数据将丢失;SRAM的效率较好,而成本较高,通常将SRAM作为cache使用。

  单端口RAM同一时刻,只能满足读或写某一动作,而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等,可以同时进行两个操作,当然为避免冲突,存在一定的仲裁控制,成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口,单一个端口只读,另一个端口只能写。

  Read-Only-Memory,只读存储器,通常使用时一次写好,使用时只能进行读操作,而不能进行写操作。

  高速缓冲存储器,由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢,增加的一级缓冲存储空间,当需要处理器需要访问内存某一块区域时,先缓存cache中,处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。

  Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器,是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARm结构上和L2 CACHE同一层次),其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。

  闪存,和EEPROM一样可擦除可重写,差别EEPROM总是按字节操作,FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash,Nor-flash可以按照字节读取,而NandFlash只能按块读取,两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线,成本比Nand-Flash高,而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。

  对于FLASH的读取总线C、SPI串行型,也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。

  我们将《嵌入式工程师-系列课程》分成两大阶段:第一阶段:《计算机体系结构》课程 分成4篇:分别是

  我们将《嵌入式工程师-系列课程》分成两大阶段:第一阶段:《计算机体系结构》课程 分成4篇:分别是

  本文档的主要内容详细介绍的是51单片机汇编语言教程之单片机逻辑与或异或指令的详细资料讲解。

  在51系列单片机中,与外部存储器RAM 打交道的只能是A 累加器。所有需要传送入外部RAM 的数据必....

  上两次我们做过两个实验,都是让P1.0 这个管脚使灯亮,我们能设想:既然P1.0 能让灯亮,那么其它....

  我们来思考一个问题,当我们在编程器中把一条指令写进单片要内部,通电后,单片机就可以执行这条指令,那么....

  近年来,Intel的特别版处理器相当丰富,酷睿i7--8086K、酷睿i9-9990XE、至强W-3....

  写入EEPROM的数据是否可供处理器使用?如果我写3个不同的代码到EEPROM,处理器可以根据用户需求选择3个1吗? 以...

  港媒称,内地的科学家说,他们已经研发出一种晶体管,这种晶体管将大大增强芯片的性能,并大幅降低它们的能....

  在所有展出的兆芯通用处理器之中,开先ZX-B系列、开先ZXC_HL系列处理器颇受关注。开先ZX-B系....

  LTC3718的典型应用是用于DDR和QDR存储器终端的高电流,高效率同步开关稳压控制器...

  STM32F105xx和STM32F107xx系列微控制器的数据手册免费下载

  STM32F105xx和STM32F107xx互联型系列使用高性能的ARM® Cortex™-M3 ....

  EEPROM的常规接口有3个分别是Microwire和SPI与I2C。 这些接口各自具有技术特点。 请选择符合客户需求的接口。 【...

  Intel正式宣布了第十代酷睿处理器,首批产品为代号Ice Lake的笔记本型U系列低功耗、Y系列超....

  IceLake处理器测试 可在一些主流的电竞游戏中达到较为流畅运行帧率

  在5月28日的台北电脑展上,Intel终于发布了万众期待多年的代为为Ice Lake的第十代酷睿移动....

  vPro博锐是Intel面向企业商用客户的专用平台,在消费级平台的基础上,尤其注重管理性、可靠性、安....

  科技公司Kathrein Solutions和Tonnjes合作利用Kathrein的读写器和软件平....

  计算机目前已经成为了现代办公必不可少的生产力工具,除了简单的商务办公之外,内容创作者对于电脑硬件的要....

  近日,台北电脑展,Intel终于发布了万众期待多年的首个10nm工艺产品家族,代号Ice Lake的....

  “难产”4 年,Intel第 10代处理器正式出货,大玩“ AI inside ”

  1. 引言 由于DSP芯片具有先进的并行结构,使其在信号处理和数据采集领域得到了越来越广泛的应用TI公司的DSP芯片TMS3...

  摘要:目前,基于ARM和FPGA架构的嵌入式系统在通信设备中得到广泛的应用。文章提出了一种基于ARM和FPGA的环形缓冲...

  经常发现一个问题,有人说蓝牙4.0是低功耗的,为什么功耗还是和蓝牙3.0相比没有多大改善...

  在近日举办的2019年台北电脑展期间,英特尔发布了一系列产品和技术细节,涵盖PC行业最热门的领域。从....

  英伟达推出移动端VR-ready Quadro芯片 自适应着色器内存体系结构

  Nvidia在2019年Computex中宣布了最新的“RTX Studio”标准——要求一台笔记本....

  据介绍,尽管有一些周期性和季节性影响,但是独立存储器市场在过去十年中经历了非凡的增长。这是由重要的行....

  AMD正式发售Ryzen 3000系列处理器 目前展示了3款处理器性能

  近日,AMD CEO苏姿丰向大家展示了AMD Ryzen 3000系列处理器。

  AMD将于2020年中发布Zen3架构 Zen4架构的第四代霄龙代号Genoa

  如今的AMD可谓意气风发,刚刚推出的第三代锐龙处理器采用7nm全新工艺、Zen 2全新架构,更多核心....

  Intel今天正式公布了10nm Ice Lake第十代酷睿移动处理器、下一代雅典娜笔记本,同时还有....

  Intel发布新一代至强E-2200系列 相比上代多核心性能提升最多16%

  Intel Xeon至强E3-1200 v系列原本定位于入门级的单路服务器和工作站应用,但曾经备受玩....

  你好, 我试图使用flash PROM xcf04s在主串行模式下配置我的fpga xc3s500e。 我使用Xilinx 12.1 for Linux生成.bit和.mc...

  有谁知道是否有办法在54832B上升级bios以支持更多内存和更高速处理器? Scope拥有摩托罗拉VP22主板,1GHz处理器和512MB...

  CPU公司的创始人,是一个名叫Hermann Hauser的奥地利籍物理学博士,还有他的朋友,一个名....

  AMD16核的Ryzen9CPU水冷超频测试 跑分远超i9-9980XE

  昨天AMD发布了三款Ryzen 3000处理器,其实只是AMD计划的冰山一角,对于Ryzen 9 3....

  AMD的第三代锐龙3000系列成功吸引了所有人的眼球,而在本次台北电脑展上,Intel会正式发布基于....

  全球半导体贸易协会(WSTS)数据显示,2018年全球半导体市场规模达到4688亿美元,同比增长13....

  这种单2输入正极和栅极设计用于1.65-V至5.5-V VCC操作。该CMOS器件具有高输出驱动,同....

  当前,蜂窝移动通信系统发展到第三代,3G系统进入商业运行一方面需要解决不同标准系统间的兼容性;另一方面为了适应技术的发展,...

  近日,由中国RISC-V产业联盟(CRVIC)联合芯来科技发起的RISC-V处理器开源套件技术分享会....

  AMD锐龙72700X50周年纪念版销量火爆 既清理了一下旧锐龙库存同时也收获的不少的口碑

  根据日前的消息,AMD 7nm系列新品即将在今年第三季度正式上线,一般这个时候,在面对前一代的产品用....

  5月27日,AMD在2019台北电脑展COMPUTEX展前新闻发布会上举行主题演讲,AMD CEO苏....

  本文档的主要内容详细介绍的是单片机的基础知识详细资料概述包括了:1 单片机简介,2 单片机的发展历....

  Spectral Edge突破性FPGA图像信号处理器采用其独有图像融合技术

  位于英国剑桥的数码图像处理IP公司Spectral Edge已被Talents@Taipei机构认证....

  内存又称为内存储器,通常也泛称为主存储器,是计算机中的主要部件,它是相对于外存而言的。

  本文基于自动驾驶应用场景分别从E/E架构、通讯方式、软件架构和流程标准等方面谈下与当前模式相比可能加....

  把内存固定地划分为若干个大小不等的分区供各个程序使用,每个分区的大小和位置都固定,系统运行期间不再重....

  如果各种传闻属实,AMD第三代锐龙3000系列的进步幅度实在是让人感觉不可思议:全新的7nm工艺,全....

  已经转向企业端的Google Glass于今晨宣布推出新一代产品Glass Enterprise E....

  如今随着2019年的来临,Pico也在大获好评的G2基础上推出了又一款升级产品,这便是我们今天要带大....

  1.DSP的C语言同主机C语言的主要区别? 1)DSP的C语言是标准的ANSI C,它不包括同外设....

  曝锐龙3000上内存子系统会有明显改进 内存频率能够直上DDR4-5000

  AMD即将发布的锐龙3000系列处理器除了使用7nm工艺以提高能效、性能之外,还带来了全新的Zen2....

  如今PC游戏发展迅猛,以往入门游戏玩家CPU的选择通常为4核,随着游戏华丽的特效以及不断升高的分辨率....

  本参考手册面向应用开发人员,提供有关使用 STM32F405xx/07xx、STM32F415xx/....

  苹果手机性能好是出名的,价格高也是众所周知。可是一款手机贵,总是有它贵的理由的,我们就一起来看看。

  ARM宣布终止与华为及其子公司海思的业务合作 麒麟980及下一代产品将不受影响

  由于制裁,华为宣布旗下的半导体芯片公司海思将原本用于备份的产品扶正,未来会替代美国公司的一些芯片,任....

  AMD在年初的CES大会上官宣第三代锐龙处理器的时候,展示的只是8核心型号,但从芯片设计结构上看,很....

  随着国际间贸易摩擦不断加大,半导体行业亏损周期延长, 日系半导体厂商的日子越来越不好过,东芝存储器自....

  龙芯 2H 是面向安全适用计算机设计的高集成度系统芯片。片内集成定点处理器、浮点处理器、流媒体处理和....

  信息BelaSigna®300是一款超低功耗,高保真单声道音频处理器,适用于便携式通信设备,可在不影响尺寸或电池寿命的情况下提供卓越的音频清晰度。 BelaSigna 300为易受噪声和回声影响的设备提供了卓越音频性能的基础。其独特的专利双核架构使多种高级算法能够同时运行,同时保持超低功耗。微型超低功耗单芯片解决方案对电池寿命或外形尺寸几乎没有影响,是便携式设备的理想选择。具有领域专业知识和一流算法,安森美半导体和我们的解决方案合作伙伴网络可以帮助您快速开发和推出产品。 BelaSigna 300芯片提供全套开发工具,实践培训和全面技术支持。 针对音频处理优化的负载均衡双核DSP架构 超低功耗:通常为1-10 mA 微型外形尺寸:3.63 x 2.68 mm PCB面积,外部元件很少 输入级: - 88 dB系统动态范围可扩展至110 dB - A / D采样率从8.0到60 kHz - 4个独立通道 输出阶段: - 高保真D类输出直接驱动扬声器 - 25 mA最大声功率输出 灵活的输入输出控制器(IOC),用于卸载DSP上的数字信号移动

  支持具有极低群延迟的高级自适应音频处理算法 128位AES高级加密以保护制造商和用户数据 与其他系统和HMI的无缝连接按钮,电位器和L...

  BELASIGNA 250 16位音频处理器,全立体声2声道,2声道输出

  信息BelaSigna®250是一款完整的可编程音频处理系统,专为超低功耗嵌入式和便携式数字音频系统而设计。这款高性能芯片以BelaSigna 200的架构和设计为基础,可提供卓越的音质和无与伦比的灵活性。 BelaSigna 250集成了完整的音频信号链,来自立体声16位A / D转换器或数字接口,可接受信号通过完全灵活的数字处理架构,可以直接连接到扬声器的立体声模拟线路电平或直接数字电源输出。 独特的并行处理架构 集成转换器和电源输出 超低功耗:20 MHz时5.0 mA; 1.8 V电源电压 支持IP保护 智能电源管理,包括需要 88 dB系统动态范围且系统噪声极低的低电流待机模式 灵活的时钟架构,支持高达33 MHz的速度 全系列可配置接口,包括:IS,PCM,UART,SPI,IC,GPIO...

  BELASIGNA 300 AM 带AfterMaster HD的音频处理器

  信息BelaSigna®300AM是一款基于DSP的音频处理器,能够在包含主机处理器和/或外部I 基于S的单声道或立体声A / D转换器和D / A转换器。 AfterMaster HD是一种实时处理音频信号的算法,可显着提高响度,清晰度,深度和饱满度。 br

  BelaSigna 300 AM专门设计用于需要解决方案以克服小型或向下扬声器(包括平板电视或耳机)限制的应用。 通常4执行AfterMaster HD时为-8 mA 尺寸为3.63 mm x2.68 mm x 0.92 mm(包括焊球)提供 包括一个快速的I 基于C的界面,用于下载和AfterMaster HD算法的一般配置,一个高度可配置的PCM接口,用于将数据流入和器件,高速UART,SPI端口和5个GPIO。 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  信息优势和特点 单芯片结构 双缓冲锁存器支持兼容8位微处理器 快速建立时间:500 ns(最大值,至±1/2 LSB) 片内集成高稳定性嵌入式齐纳基准电压源 整个温度范围内保证单调性 整个温度范围内保证线 LSB(最大值,AD567K) 保证工作电压:±12 V或±15 V 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD567是一款完整的高速12位单芯片数模转换器,内置一个高稳定性嵌入式齐纳基准电压源和一个双缓冲输入锁存器。该转换器采用12个精密、高速、双极性电流导引开关和一个经激光调整的薄膜电阻网络,可提供快速建立时间和高精度特性。微处理器兼容性通过片内双缓冲锁存器实现。输入锁存器能够与4位、8位、12位或16位总线直接接口。因此,第一级锁存器的12位数据可以传输至第二级锁存器,避免产生杂散模拟输出值。锁存器可以响应100 ns的短选通脉冲,因而可以与现有最快的微处理器配合使用。AD567拥有如此全面的功能与高性能,是采用先进的开关设计、高速双极性制造工艺和成熟的激光晶圆调整技术(LWT)的结果。该器件在晶圆阶段进行调整,25°C时最大线 LSB(K级),整个工作温度范围内的线 LSB。芯片的表面下(嵌入式...

  CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留

  8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

  CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护

  - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

  信息优势和特点 完整的8位DAC 电压输出:0 V至2.56 V 内部精密带隙基准电压源 单电源供电:5 V (±10%) 完全微处理器接口 快速建立时间:1 xxs内电压达到±1/2 LSB精度 低功耗:75 mW 无需用户调整 在工作温度范围内保证单调性 规定了 T min至T max的所有误差 小型16引脚DIP或20引脚PLCC封装 低成本产品详情AD557 DACPORT®是一款完整的电压输出8位数模转换器,它将输出放大器、完全微处理器接口以及精密基准电压源集成在单芯片上。无需外部元件或调整,就能以全精度将8位数据总线与模拟系统进行接口。AD557 DACPORT的低成本和多功能特性是单芯片双极性技术持续发展的结果。完整微处理器接口与控制逻辑利用集成注入逻辑(I2L)实现,集成注入逻辑是一种极高密度的低功耗逻辑结构,与线性双极性制造工艺兼容。内部精密基准电压源是一种取得专利的低压带隙电路,采用+5 V单电源时可实现全精度性能。薄膜硅铬电阻提供在整个工作温度范围内保证单调性工作所需的稳定性,对这些薄膜电阻进行激光晶圆调整则可实现出厂绝对校准,误差在±2.5 LSB以内,因此不需要用户进行增益或失调电压调整。新电路设计可以使电压在800 ns内达到±...

  AD558 电压输出8位数模转换器,集成输出放大器、完全微处理器接口和精密基准电压源

  信息优势和特点 完整8位DAC 电压输出:两种校准范围 内部精密带隙基准电压源 单电源供电:+5 V至+15 V 完全微处理器接口 快速建立时间:1 ±s内电压达到±1/2 LSB精度 低功耗:75 mW 无需用户调整 在工作温度范围内保证单调性 规定了 Tmin至Tmax的所有误差 16引脚DIP和20引脚PLCC小型封装 激光晶圆调整单芯片供混合使用产品详情AD558 DACPORT®是一款完整的电压输出8位数模转换器,它将输出放大器、完全微处理器接口以及精密基准电压源集成在单芯片上。无需外部元件或调整,就能以全精度将8位数据总线与模拟系统进行接口。这款DACPORT器件的性能和多功能特性体现了近期开发的多项单芯片双极性技术成果。完整微处理器接口与控制逻辑利用集成注入逻辑(I2 L)实现,集成注入逻辑是一种极高密度的低功耗逻辑结构,与线性双极性制造工艺兼容。内部精密基准电压源是一种取得专利的低压带隙电路,采用+5 V至+15 V单电源时可实现全精度性能。薄膜硅铬电阻提供在整个工作温度范围内保证单调性工作所需的稳定性(所有等级器件),对这些薄膜电阻运用最新激光晶圆调整技术则可实现出厂绝对校准,误差在±1 LSB以内,因此不需要用户进行增...

本文链接:http://hotel-lermoos.com/zhiducunchuqi/1.html

上一篇:没有了

下一篇:只读存储器包括了什么?